datasheet

Flash数据不翼而飞了?

2019-06-27来源: ZLG立功科技·致远电子关键字:Flash  数据

摘要:芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?重新下载程序后又可以运行?这究竟是为什么呢?


1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写


例如,在有对Flash写入或擦除操作的代码中,如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数,这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况,可以在程序中设置多个允许操作的变量,当执行写入或擦除操作时,对这些变量进行判断,只有条件全部满足时,才执行相应的操作。


在一些不需要进行擦除或写入操作的系统中,对存储区进行写保护或擦除保护设置,能有效的防止数据被意外修改。做到了写入或擦除的可控性,基本可以避免此种情况发生。


image.png 

图1  Flash保护


2、电源失效


image.png 

图2  电源噪声严重


电源电压的异常可能会导致系统单片机系统工作异常的现象,如输出电压小于单片机系统工作所需的最小电压,输出电压不干净,噪音严重等,这些很容易引起单片机内部电路的逻辑紊乱,Flash的读写信号处于不稳定状态。可能产生满足Flash的写操作,从而给系统带来严重的损害。针对以上情况,可以在系统中加入电源监控芯片或使能MCU本身的电源监控电路,在电源异常的情况下禁止对Flash区域操作。


3、系统时钟不稳定


无论对于内部Flash还是外部Flash,系统时钟的不稳定,都将导致MCU得不到可靠的工作时序信号,从而在读写Flash时产生不可预料的后果。


4、环境干扰


环境干扰的可能原因很多,如生产过程中的高温焊接、静电、使用环境的温湿度,强磁场等,都可能影响到Flash或整个系统的稳定。环境干扰的因素很多,在此不展开讨论。


关键字:Flash  数据

编辑:baixue 引用地址:http://www.groupepopcorn.com/xfdz/ic465893.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:美光推出全新NVMe SSD,提供领先的存储性能
下一篇:贸泽备货Micron9200系列NVM Express? (NVMe?) SSD

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

STM32F103CB 芯片FLASH DOWNLOAD编程地址范围设置相关问题记录

程序模式:IAP+APP地址分配:IAP:8000000H-8003FFFH,APP:8004000H-801FFFFHFLASH DOWNLOAD地址设置:IAP:8000000H-801FFFFH APP:8004000H-801FFFFH刚开始分2个步骤通过jlink把程序下载进去,可以调试APP。后来用IAP方式烧了一个错误的APP程序进去,然后就发现APP部分怎么也无法调试,在IAP部分用jlink查看FLASH区域,发现8004000H的内容没有任何变化,说明APP在调试的时候并没有把程序下载进去,改了下FLASH DOWNLOAD地址设置:8000000H-801FFFFH,然后就可以正常调试了。 如图:
发表于 2019-07-01
STM32F103CB 芯片FLASH DOWNLOAD编程地址范围设置相关问题记录

STM32F103 SPI flash操作注意事项

之前一直使用的W25Q16 spi flash都没问题,换了一款W25Q80后发现工作不正常,经过测试,初步定位到问题在于初始化SPI后是否将CS拉高。于是又去查看了一下原厂代码:发现原厂的代码初始化SPI接口时是专门拉高CS的。结论:网上很多代码初始化SPI接口时没有专门拉高CS,对某些型号可能确实是没问题,但兼容性不好,最好是加上。
发表于 2019-07-01
STM32F103 SPI flash操作注意事项

STM32 FSMC机制flash拓展

,可根据系统的应用需要,方便地进行不同类型大容量静态存储器的扩展。 1 FSMC机制 FSMC(Flexihie Static Memory Controller,可变静态存储控制器)是STM32系列中内部集成256 KB以上FlaSh,后缀为xC、xD和xE的高存储密度微控制器特有的存储控制机制。之所以称为“可变”,是由于通过对特殊功能寄存器的设置,FSMC能够根据不同的外部存储器类型,发出相应的数据/地址/控制信号类型以匹配信号的速度,从而使得STM32系列微控制器不仅能够应用各种不同类型、不同速度的外部静态存储器,而且能够在不增加外部器件的情况下同时扩展多种不同类型的静态存储器,满足系统设计对存储容量
发表于 2019-06-29
STM32 FSMC机制flash拓展

东芝存储器厂房被曝预计7月中旬才能复工,晶圆报价受影响

美国西部数据与日本东芝合资、全球第2大NAND Flash厂东芝存储器三重县四日市厂区6月15日出现长达约13分钟停电状况,包含新Fab2、Fab3、Fab4、Fab5以及Fab6在内的全体厂区皆受冲击,目前整体厂房的运营仍未完全复工,预计7月中才得以恢复运作。 西部数据在6月28日针对此事件发布公开说明,表示约当6 ExaByte(EB)的产能将受冲击,缺货主要会反映在今年第3季,东芝则未作表示。由于该厂区的恢复能力,远不如业界对先进半导体厂恢复运作的合理预期,集邦科技存储器储存研究(DRAMeXchange)判断,东芝下游客户对于厂房稳定性的信任程度恐打折。  针对此次停电事件,集邦调整对第3季
发表于 2019-06-29
东芝存储器厂房被曝预计7月中旬才能复工,晶圆报价受影响

工程师在抓紧研发新型存储器,未来将取代DRAM和Flash

业界普遍认为未来从数据中将能挖掘出最大的价值,但要挖掘数据的价值除了需要很强的计算能力之外,数据的存储也非常关键。目前,新型存储器也是领先的企业非常关注的一个方向,兰开斯特大学(Lancaster University)的研究人员最近发表论文称其研究的新型存储器可以兼具稳定、高速、超低功耗的优点。看到了当前的数字技术能源危机,兰开斯特大学的研究人员开发出了一种可以解决这一问题的新型计算机并申请了专利。这种新型的存储器有望取代动态随机存取存储器(DRAM)和闪存(Flash)驱动器。强大且超低能耗计算时代即将来临,你准备好了吗?研究人员对这一进展有充分的理由感到兴奋。物联网在家庭和办公室的出现在很大程度上方便了我们的智能生活
发表于 2019-06-25
工程师在抓紧研发新型存储器,未来将取代DRAM和Flash

谷歌将建第三条私有海底光缆,连接欧洲与非洲数据传输

据外媒报道,美国谷歌公司28日宣布,将出资建设一条连接欧洲和非洲的海底光缆,这将是谷歌在全球建设的第三条私有海底光缆。这条海底光缆命名为Equiano(中文名为埃奎亚诺),并将于2021年完工,届时将可以把高速数据从葡萄牙传输到南非和各国。谷歌周五在一篇博客文章中表示,光纤生产线是谷歌在计算基础设施领域进行大规模投资的一部分,过去三年投资额达到470亿美元。谷歌的数据业务庞大,需要在遍布全球的数据中心内推送大量信息。通过Google Cloud等操作,谷歌也可以处理许多其他公司的数据需求。据了解,“埃奎亚诺”完全由谷歌出资,将是谷歌的第三条私有海底光缆。谷歌的第一条私有海底光缆“居里”连接美国和智利,已于今年4月建成;另一条名为
发表于 2019-07-02

小广播

博狗bodog手机网页版权所有 电信业务审批[2006]字第258号函 Copyright ? 2005-2019 www.groupepopcorn.com, Inc. All rights reserved
博狗bodog手机网页