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GaN射频市场现状及未来:电信基础设施与国防是重要增长力

2019-06-27来源: 微波杂志关键字:GaN

根据微波杂志报道,日前,Yolo Developpement发布研究报告指出,预计到2024年整个GaN射频市场将达到20亿美元,这主要得益于两个主要应用:电信基础设施和国防。Yole 技术与市场分析师Antoine Bonnabel表示,过去十年全球电信基础设施投资保持稳定,近期随着中国政府的积极而增加。在这个稳定的市场中,包括6GHz频率等应用,为GaN RF提供了额外的增长动力。


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目前的GaN市场

自20年前首款商用产品以来,GaN已成为RF功率应用中LDMOS和GaAs的重要竞争对手,以更低的成本不断提高性能和可靠性。第一个GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时出现,但GaN-on-SiC在技术上已经变得更加成熟。

GaN-on-SiC目前主导GaN射频市场,已渗透到4G LTE无线基础设施市场,预计将部署在5G sub-6 GHz实施的RRH架构中。与此同时,在经济高效的LDMOS技术方面也取得了显着进展,这可能会对5G sub-6GHz有源天线和大规模MIMO部署中的GaN解决方案提出挑战。

GaN-on-Si是一种潜在的挑战者,可能在8英寸晶圆上扩展生产,并为商业市场提供具有成本效益的解决方案。然而,截至2019年,GaN-on-Si仍处于小批量生产阶段 - 预计将挑战BTS和RF能源市场中现有的LDMOS解决方案。

GaN-on-Si公司的另一个目标是大批量消费者5G手机PA市场,如果成功,它可以在未来几年开辟新的市场机会。随着GaN-on-Si产品的最终升级,市场上可以实现GaN-on-SiC和GaN-on-Si的共存。最后但并非最不重要的是,创新的GaN-on-Diamond技术正在进入竞争对手,与GaN竞争对手相比,承诺具有更高的功率输出密度和更小的占位面积。该技术针对性能驱动的应用,例如高功率BTS,军事和卫星通信。

供应链的现状

作为一项成熟的技术,GaN-on-SiC拥有完善的供应链,拥有众多公司和不同的集成度。在RF组件级别,顶级市场参与者是:

?住友电工设备创新(SEDI),Cree / Wolfspeed和Qorvo

?RFHIC自2017年以来大幅增加收入

?领先的化合物半导体代工厂稳懋现在正在积极提供GaN RF产品

在GaN-on-Si RF行业,意法半导体是与MACOM合作的主要参与者,目标是全球5G基站应用,扩展150 mm GaN-on-Si的生产能力,并进一步扩展至200 mm。此外,ST还宣布了对GaN-on-Si手机的兴趣,这可能为GaN RF业务带来激动人心的新市场机遇。

在军事市场中,各个国家和地区都在单独加强其GaN RF生态系统。 GaN的采用受到Raytheon,Northrop Grumman,洛克希德马丁公司等强势参与者的推动,并通过UMS,空中客车,萨博以及中国领先的垂直整合公司中国电子科技集团公司(CETC)在全球市场得到推动。

但是,在电信市场,情况有所不同。 战略合作伙伴关系和/或兼并和收购屡屡发生,市场领导者SEDI和II-VI建立了垂直整合的6英寸GaN-on-SiC晶圆平台,以满足5G内不断增长的需求。与此同时,Cree收购了英飞凌的射频功率业务,包括LDMOS和GaN-on-SiC技术的封装和测试。

关键字:GaN

编辑:冀凯 引用地址:http://www.groupepopcorn.com/wltx/ic466010.html
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